Analysis of S-SEED''s characteristics in optical switch

This article introduces the basic structure of a symmetric self-electrooptic effect device （S-SEED）, and applies the Kirchoff＇ s current law and a purely equivalent capacitive model, to analyze S-SEED＇s switch characteristics. Linear approximation and N-segment approximation are utilized to obtain S-SEED＇s voltage-time （V-T） and characteristics. Theoretical analysis is verified by simulations, and the results demonstrate that the precision of S-SEED＇s switch time can satisfy the requirement in applications with linear approximation. Moreover, the simulations compare S-SEED＇s switch characteristics with different input powers and input contrast ratios, which reveal that increasing input contrast ratio is an effective way to improve S-SEED＇s switch characteristics.     

p-Si薄膜生长的ECR-CVD等离子体系统的结构设计

提出了一种生长p-Si薄膜的ECR-PECVD等离子体系统。系统采用永磁铁和线圈相结合，改善反应室磁场的均匀性；微波窗口设计成多层结构．避免窗口污染；衬底托架移动和旋转利于改善生长膜的均匀性。     

InP基应变补偿结构偏振不灵敏半导体光放大器制作的研究

为了制备偏振不灵敏的半导体光放大器(SOA)，将有源区设计为由4个压应变、3个张应变阱层及晶格匹配的垒层InGaAsP交替组合而成的应变补偿结构。器件做成带有倾角的扇形脊形波导结构，避免了常规制作SOA的复杂工艺。对样品3在80～125mA电流范围内，获得了偏振灵敏度≤0．6dB．最小可达0．1dB；较大的电流范围内FWHM值为40nm。     

一种基于bit位的运动补偿方法

本文讨论了等离子体显示屏所特有的在显示运动画面时出现的伪轮廓线现象，对产生的原因进行了分析并给出了软件模拟的结果。在此基础上，提出了一种基于bit位的运动补偿方法来改善运动图像的画面质量，同时根据人眼的视觉特征对补偿方法做了进一步的优化。最后对基于bit位的运动补偿方法进行了比较和验证，结果表明基于bit位的运动补偿方法可以基本消除运动画面的伪轮廓线现象。     

单轴-平面W型复合锶铁氧体的制备及其吸波特性研究

用草酸盐共沉淀和微量掺杂法研制六角晶系W型Ni,Zn,Co,Al多元复合锶铁氧体，通过调节Ni2W同Co2W的摩尔比例，可使该种铁氧体易磁化方向从C单轴型向垂于C轴的平面型转化，控制置换锶铁氧体中部分Fe3 的微量掺杂Al3 ，可以调整4πMs值，提高磁晶各向异性场，测试分析了5种不同含Co量的W型复合锶铁氧体粉料涂层的吸波特性，发现其自然共振吸收峰随Co含量增加向低频方向偏移，最高吸收峰可达32．8dB，是适用于电子隐形技术的高品位的微波吸收剂。     

TMS320 F206定点DSP芯片开发实践

以TMS320F206为例,着重探讨了DSP系统开发过程中的硬件设计与调试、软件设计中的流水线冲突、等待状态设置以及如何利用闪速存储器等相关问题.     

建材研究的新热点——黄河淤泥沙综合利用进展及前景展望

简要介绍了黄河淤泥沙的特性及相关情况,论述了黄河於泥综合利用研究的进展及主要成果,概述了其工业化开发的现状,分析了其存在的问题,对其发展前景进行了预测。黄河淤泥沙综合利用工作是关系到国计民生、千秋万代的大事,具有重要的现实意义和深远的历史意义。     

双乙醛草酰二肼直接快速光度法测定食品中痕量铜

研究了双乙醛草酸二肼与铜的显色反应，建立了分光光度法直接测定铜的新方法。试验结果表明，在pH8．0－10．0范围内，Cu2 与双乙醛草酸二肼形成稳定的紫红色配合物。该配合物在540nm处有一最大吸收峰，其表明摩尔吸光系数为2．4×104，铜量在0－12mg／50ml范围内符合比尔定律。共存离子干扰，误差仅 2.00％。用于食品中痕量钢测定．结果准确、可靠。     

800MHz CMOS低噪声放大器的设计

本文采用0.25μm CMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器.放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感.放大器的增益为16.4dB、噪声系数小于1.3dB、工作电压2.5V时,功耗为35mW.测试结果达到了设计指标,一致性良好.     

SSRF储存环预研制铝合金真空室的机械加工

上海同步辐射装置（SSRF）储存环铝合金超高真空室已研制成功，该机加真空室的尺寸大、尺寸精度、形位公差及粗糙度要求极高，不同于常规的大型超高真空室。在预研件加工中，成功地解决了一系列问题，如光洁度提高困难，加工成型后变形大；加工尺寸和精度受环境温度影响较大等。本文详细阐述了储存环真空室材料和热处理状态的选择依据，为了保证尺寸精度和形位公差所采取的工艺措施，分析了粗糙度的形成机理和影响因素，从刀具材料、几何角度、切削参数、冷却液选型等多方面提出了解决办法。